SiC GaN などの高速・高耐圧デバイスにおけるプロービングソリューション
SiCやGaNの動特性測定には高電圧化、高速化に対応する必要があります。 オシロスコープは高速化には十分対応する性能を有していますが、耐電圧に関しては不十分です。 高電圧化、高速化した信号を正確に測定するためには、プローブの選択とプロービング技術が...