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ハイスループットイメージングおよび分析の両立を実現したFE-SEM ZEISS GeminiSEM 450

製品カタログ

ハイスループットイメージングおよび分析の両立を実現したFE-SEM

あらゆるビーム条件において高いパフォーマンスを発揮するGeminiSEM450。その電子光学系には実績のあるGEMINIカラムの特長を継承したGEMINI IIカラムを採用し、引き続き分析に有利な高プローブ電流を提供します。すべてのプローブ電流において最適化されたスポットサイズにより、ハイスループットかつ高分解能のイメージングおよび分析に最適です。

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このカタログについて

ドキュメント名 ハイスループットイメージングおよび分析の両立を実現したFE-SEM ZEISS GeminiSEM 450
ドキュメント種別 製品カタログ
ファイルサイズ 1.5Mb
登録カテゴリ
取り扱い企業 カールツァイス株式会社 (この企業の取り扱いカタログ一覧)

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Particle Analyzer
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カールツァイス株式会社

このカタログの内容

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NEW! ハイスループットイメージング及び分析の両立を実現したFE-SEM ZEISS GeminiSEM 450 セリウム鉄の粒子。2kV、EsB検出器。 3kVでのNdFeB磁石のEDSマッピング 組成コントラストがはっきりと見られる。 あらゆるビーム条件において高いパフォーマンスを発揮し、幅広い分野で好評のMERLINの後継機種 GeminiSEM 450。その電子光学系には実績のあるGEMINIカラムの特長を継承したGEMINI Ⅱカラムを採用し、 引き続き分析に有利な高プローブ電流を提供します。すべてのプローブ電流において最適化されたスポット サイズにより、ハイスループットかつ高分解能のイメージング及び分析に最適です。 ハイスループットのイメージング及び フレキシブルな検出テクノロジーを備え、 あらゆるサンプルにフレキシブルに パワフルな分析用装置 様々な情報の取得が可能 対応 • GEMINIテクノロジーにより、低加速でも • 幅 広い検出器から選択でき、多様な • ビームダメージを受けやすいサンプル 通常のFE-SEMと比べて高い解像力、高い サンプル対応、あらゆる特性を評価 • 導 電性のないサンプル コントラストでのイメージングを実現 • オ プションのNanoVPとLocal Charge • 磁性体サンプル • 低ビーム電流による高分解能イメージ Compensation機能を使って、導電性 • 凹 凸の激しいサンプル ングモードと高ビーム電流分析モード のないサンプルでも高分解能Inlens SE • 大 きく傾けたサンプル の切り替えが簡単 像観察が可能 • 材 料科学と生命科学分野で分解能 • 広 範囲で歪みのないFOVにより、最小 • 低 加速電圧での最表面イメージングと イメージングと分析を実現 限のスティッチングで高分解能、広視野 高分解能EDSマッピング、EBSD解析が のイメージング 可能 • 高電子線密度により、高速イメージング • プ ラットフォームソフトウェアAtlas 5で 及び高速分析が可能 ZEISS Crossbeam、ZEISS Xradiaと相関 • あ らかじめ設定されているカラムパラ ワークフォローを完成 メーターにより、常に最適なビームス ポットの取得が可能
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ハイスループットイメージング及び分析の両立を実現したFE-SEM ZEISS GeminiSEM 450 実績のあるGEMINIテクノロジー FEガン GEMINIレンズの設計は、静電場と磁場の組合わ せでサンプルに与える場の影響を最小に抑えつつ、 光学性能を最大限に引き出します。これにより 磁性材料などの難しいサンプルでも優れたイメージ が取得できます。 コンデンサー ダブルコンデンサーのGEMINI Ⅱ カラム すべてのワーキングポイントでビーム電流密度が 最適化されています。そのためイメージングと分析 との切替えが簡単にできます。 ビームブースター Inlens /EsB検出器 GEMINIレンズ 磁界レンズ GeminiSEM 450 基本仕様 搭載SEMカラム GEMINI II 静電レンズ スキャンコイル 0.6 nm@30 kV, STEM 1.1 nm@1 kV / 500 V SEM分解能(AsB無) 2.0 nm@15 kV, 5 nA, AWD 1.2 nm@1 kV, EsB detector サンプル 1.4 nm@3 kV, 30 Pa 加速電圧範囲: 0.02-30 kV SEM加速電圧 最小ステップ: 10 V 3 pA-40 nA, 最大SEMプローブ電流 検出器 6 pA-300 nA (オプション) Everhart Thornley ● 設定可能倍率範囲 12x - 2,000,000x Inlens SE ● 電子銃 Schottky Field Emitter EsB (Inlens BSE) ○ 作業距離 0.1-50 mm Retractable BSE ○(5分割 or nanoVP用) 5軸ユーセントリックステージ XY-Travel: 130 x 130 mm AsB ○(nanoVPとの併用不可) サンプルステージ Z-Travel: 50 mm Tilt: -4° to 70° aSTEM ○(BF, DF, ADF, HAADF) Rotation: 360° VPSE(CL) ○(standard for VP mode) 低真空モード (オプション) 10-500 Pa ●標準装備、○オプション カールツァイスマイクロスコピー株式会社 代理店 〒160-0003 東京都新宿区四谷本塩町2番8号 大阪営業所 Tel 06-6337-5465 Tel 03-3355-0332 Fax 03-3359-2118 名古屋営業所 Tel 052-777-1415 福岡営業所 Tel 092-713-7662 仙台営業所 Tel 022-224-5655 microscopy. ja@zeiss.com www.zeiss.co.jp/microscopy Printed in Japan P18 MIC 075 PR TP-02/18 製品画像は実際の仕様と異なる場合がありますのでご注意ください。 本製品の構成、仕様、外観等は予告なく変更する場合があります。(カタログ記載内容:2018年2月現在) 製品の色彩は印刷のため実物とは異なることがあります。 本カタログではTM、®マークは明記していません。システム名、製品名は各開発会社の登録商標または商標です。